SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
透镜形量子点的盖层和高宽比对应变场分布的影响
刘玉敏; 俞重远; 杨红波; 黄永箴
2005
Source Publication高技术通讯
Volume15Issue:10Pages:57-61
Abstract对透镜形自组织生长量子点的应变分布进行了研究。主要分析了透镜形状的量子点形貌对应变分布的影响,针对开放量子点(无盖层)和非开放量子点(有盖层)情况分别进行了讨论。结果表明,无论有无盖层,横向大尺寸量子点内部的应变分布趋向于均匀,无盖层量子点与有盖层情况相比内部应变释放程度大,甚至在量子点顶部有应变过释放情况,这一现象可以定性解释量子点生长的高度受限、量子点后续生长中出现的量子点塌陷和盖层生长停顿后产生的量子点“挖空”现象。
metadata_83北京邮电大学理学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization863计划,973计划,国家自然科学基金,集成光电子学国家重点联合实验室开放课题资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2182350
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16839
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘玉敏,俞重远,杨红波,等. 透镜形量子点的盖层和高宽比对应变场分布的影响[J]. 高技术通讯,2005,15(10):57-61.
APA 刘玉敏,俞重远,杨红波,&黄永箴.(2005).透镜形量子点的盖层和高宽比对应变场分布的影响.高技术通讯,15(10),57-61.
MLA 刘玉敏,et al."透镜形量子点的盖层和高宽比对应变场分布的影响".高技术通讯 15.10(2005):57-61.
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