SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
脉冲激光沉积方法制备ZnO薄膜生长参量对发光特性的影响
王兆阳; 胡礼中; 赵杰; 孙捷; 王志俊
2005
Source Publication光学学报
Volume25Issue:10Pages:1371-1374
Abstract用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。以325nmHe-Cd激光器为光源对薄膜进行了荧光光谱分析,用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别对薄膜的结构和形貌进行了分析。脉冲激光沉积方法的主要生长参量为氧压、激光重复频率、生长温度和激光能量。通过控制这些参量变量,研究了这些参量对ZnO薄膜发光特性的影响,得到了用于紫外发光的ZnO薄膜生长的优化条件
metadata_83大连理工大学;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,辽宁省科学技术基金资助课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2187526
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16831
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王兆阳,胡礼中,赵杰,等. 脉冲激光沉积方法制备ZnO薄膜生长参量对发光特性的影响[J]. 光学学报,2005,25(10):1371-1374.
APA 王兆阳,胡礼中,赵杰,孙捷,&王志俊.(2005).脉冲激光沉积方法制备ZnO薄膜生长参量对发光特性的影响.光学学报,25(10),1371-1374.
MLA 王兆阳,et al."脉冲激光沉积方法制备ZnO薄膜生长参量对发光特性的影响".光学学报 25.10(2005):1371-1374.
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