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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 脉冲激光沉积方法制备ZnO薄膜生长参量对发光特性的影响
作者: 王兆阳;  胡礼中;  赵杰;  孙捷;  王志俊
发表日期: 2005
摘要: 用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。以325nmHe-Cd激光器为光源对薄膜进行了荧光光谱分析,用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别对薄膜的结构和形貌进行了分析。脉冲激光沉积方法的主要生长参量为氧压、激光重复频率、生长温度和激光能量。通过控制这些参量变量,研究了这些参量对ZnO薄膜发光特性的影响,得到了用于紫外发光的ZnO薄膜生长的优化条件
刊名: 光学学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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王兆阳;胡礼中;赵杰;孙捷;王志俊.脉冲激光沉积方法制备ZnO薄膜生长参量对发光特性的影响,光学学报,2005,25(10):1371-1374
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