10 Gb／s电吸收调制器的微波封装设计

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题名:	10 Gb／s电吸收调制器的微波封装设计
作者:	刘宇; 谢亮; 袁海庆; 张家宝; 祝宁华; 孙长征; 熊兵; 罗毅
发表日期:	2005
摘要:	在高速光电子器件的微波封装过程中，需要综合考虑封装寄生参数和芯片寄生参数对器件高频性能的影响。利用封装寄生参数对芯片寄生参数的补偿作用，成功实现了10Gb／s电吸收调制激光器（EML）的高频封装。通过封装前后芯片和器件的小信号频率响应测试结果对比，器件的反射参数和传输参数有所改善，3dB带宽达到10GHz；并进行了10Gb／s速率的光纤传输实验，经过40km光纤传输后通道代价不到1dBm（误码率为10^-12），满足10Gb／s长距离光纤传输系统的要求。
刊名:	中国激光
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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刘宇;谢亮;袁海庆;张家宝;祝宁华;孙长征;熊兵;罗毅.10 Gb／s电吸收调制器的微波封装设计,中国激光,2005,32(11):1495-1498

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