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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 10 Gb/s电吸收调制器的微波封装设计
作者: 刘宇;  谢亮;  袁海庆;  张家宝;  祝宁华;  孙长征;  熊兵;  罗毅
发表日期: 2005
摘要: 在高速光电子器件的微波封装过程中,需要综合考虑封装寄生参数和芯片寄生参数对器件高频性能的影响。利用封装寄生参数对芯片寄生参数的补偿作用,成功实现了10Gb/s电吸收调制激光器(EML)的高频封装。通过封装前后芯片和器件的小信号频率响应测试结果对比,器件的反射参数和传输参数有所改善,3dB带宽达到10GHz;并进行了10Gb/s速率的光纤传输实验,经过40km光纤传输后通道代价不到1dBm(误码率为10^-12),满足10Gb/s长距离光纤传输系统的要求。
刊名: 中国激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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刘宇;谢亮;袁海庆;张家宝;祝宁华;孙长征;熊兵;罗毅.10 Gb/s电吸收调制器的微波封装设计,中国激光,2005,32(11):1495-1498
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