SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半导体纳米结构物理性质的理论研究--2004年国家自然科学二等奖获奖项目介绍
夏建白; 李树深; 常凯; 朱邦芬
2005
Source Publication物理
Volume34Issue:11Pages:801-803
Abstract半导体纳米结构是纳米材料的一个重要组成部分,纳米结构的电子和光子器件将成为下一代微电子和光电子器件的核心.半导体纳米结构有多种多样,如自组织量子点、纳米晶体、硅团簇、量子结构等,它们可以制成各种纳米电子学器件.根据以上几类半导体纳米结构,文章介绍的获奖项目提出了研究半导体纳米结构电子结构的四个理论,并利用这些理论研究了它们的电子态和物理性质,发现了许多新的效应.这些理论包括
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家重点基础研究发展计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2193956
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16823
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
夏建白,李树深,常凯,等. 半导体纳米结构物理性质的理论研究--2004年国家自然科学二等奖获奖项目介绍[J]. 物理,2005,34(11):801-803.
APA 夏建白,李树深,常凯,&朱邦芬.(2005).半导体纳米结构物理性质的理论研究--2004年国家自然科学二等奖获奖项目介绍.物理,34(11),801-803.
MLA 夏建白,et al."半导体纳米结构物理性质的理论研究--2004年国家自然科学二等奖获奖项目介绍".物理 34.11(2005):801-803.
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