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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析
作者: 孟焘;  朱贤方;  王占国
发表日期: 2005
摘要: GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见。鉴于此,本文综述了用MOCVD法制备GaN基量子点的不同实验方法,并对影响量子点牛长的实验条件和参数做了简要的分析。希望能够对相关的实验研究工作提供一些参考。
刊名: 稀有金属材料与工程
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
孟焘;朱贤方;王占国.用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析,稀有金属材料与工程,2005,34(12):1849-1853
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