SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析
孟焘; 朱贤方; 王占国
2005
Source Publication稀有金属材料与工程
Volume34Issue:12Pages:1849-1853
AbstractGaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见。鉴于此,本文综述了用MOCVD法制备GaN基量子点的不同实验方法,并对影响量子点牛长的实验条件和参数做了简要的分析。希望能够对相关的实验研究工作提供一些参考。
metadata_83厦门大学;中科院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金专项研究课题,国家自然科学基金,教育部科学技术研究重点项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2194232
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16821
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
孟焘,朱贤方,王占国. 用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析[J]. 稀有金属材料与工程,2005,34(12):1849-1853.
APA 孟焘,朱贤方,&王占国.(2005).用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析.稀有金属材料与工程,34(12),1849-1853.
MLA 孟焘,et al."用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析".稀有金属材料与工程 34.12(2005):1849-1853.
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