SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaN非线性光学效应研究进展
陈平; 王启明
2005
Source Publication物理学进展
Volume25Issue:4Pages:430-440
Abstract本文简述了对非线性光学材料的一般要求,详细介绍了GaN材料的极化效应,以及因此而具有的良好非线性光学效应。以波长转换为例说明了它在未来全光网络中的应用前景。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金重点基金项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2197788
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16819
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
陈平,王启明. GaN非线性光学效应研究进展[J]. 物理学进展,2005,25(4):430-440.
APA 陈平,&王启明.(2005).GaN非线性光学效应研究进展.物理学进展,25(4),430-440.
MLA 陈平,et al."GaN非线性光学效应研究进展".物理学进展 25.4(2005):430-440.
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