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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Simulation of a Monolithic Integrated CMOS Preamplifier for Neural Recordings
作者: Sui Xiaohong;  Liu Jinbin;  Gu Ming;  Pei Weihua;  Chen Hongda
发表日期: 2005
摘要: A monolithic integrated CMOS preamplifier is presented for neural recording applications. Two AC-coupied capacitors are used to eliminate the large and random DC offsets existing in the electrode-electrolyte interface. Diode-connected nMOS transistors with a negative voltage between the gate and source are candidates for the large resistors necessary for the preamplifier. A novel analysis is given to determine the noise power spectral density. Simulation results show that the two-stage CMOS preamplifier in a closed-loop capacitive feedback configuration provides an AC in-band gain of 38.8dB,a DC gain of 0,and an input-referred noise of 277nVmax, integrated from 0. 1Hz to 1kHz. The preamplifier can eliminate the DC offset voltage and has low input-referred noise by novel circuit configuration and theoretical analysis.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Sui Xiaohong;Liu Jinbin;Gu Ming;Pei Weihua;Chen Hongda.Simulation of a Monolithic Integrated CMOS Preamplifier for Neural Recordings,半导体学报,2005,26(12):2275-2280
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