SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
应变自组织量子点的几何形态对应变场分布的影响
刘玉敏; 俞重远; 杨红波; 黄永箴
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:12Pages:2355-2362
Abstract采用自组织生长应变量子点的二维轴对称模型,系统分析了量子点内部及周围材料的应变分布.分别对透镜形、圆柱形、圆锥形和金字塔形量子点的应变分布进行了比较.结果表明主应变和切应变的分布受几何形状影响比较明显,静水应变几乎不受几何形状改变的影响,无论是在中心轴路径还是量子点周边路径静水应变基本一致,中心轴路径无切向应变分量,切向应变分量主要集中在量子点的边界,但在量子点几何边界的中心无切向应变,切向应变的极值分布在几何边界的拐点处.
metadata_83北京邮电大学理学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展计划,国家高技术研究发展计划,集成光电子学国家重点联合实验室开放课题资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2198536
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:4[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16809
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘玉敏,俞重远,杨红波,等. 应变自组织量子点的几何形态对应变场分布的影响[J]. 半导体学报,2005,26(12):2355-2362.
APA 刘玉敏,俞重远,杨红波,&黄永箴.(2005).应变自组织量子点的几何形态对应变场分布的影响.半导体学报,26(12),2355-2362.
MLA 刘玉敏,et al."应变自组织量子点的几何形态对应变场分布的影响".半导体学报 26.12(2005):2355-2362.
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