SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低能碳离子束沉积(111)织构的立方SiC薄膜
杨霏; 陈诺夫; 张兴旺; 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 侯哲哲; 马辉; 尹志刚
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:12Pages:2385-2389
Abstract在硅衬底上利用具有质量选择功能的低能离子束沉积技术沉积碳离子制备出除碳、硅之外无其他杂质元素的纯净的立方SiC薄膜.利用X射线光电子谱、俄歇电子能谱、X射线衍射对样品进行了表征.结果显示常温和400℃制备的样品为非晶结构,在800℃制备的样品由一富碳的表面层和有着良好化学计量比的SiC层组成,碳化硅晶体薄膜是(111)织构的.通过分析可知衬底温度、离子沉积能量和样品保温扩散时间等因素综合在一起对于在硅上沉积SiC薄膜起着重要作用.远远大于TRIM预测厚度的SiC薄膜的获得是高的衬底温度、一定注入能量的碳离子引起的增强扩散以及通道注入效应综合作用的结果。
metadata_83中国科学院半导体研究所;石家庄铁道学院材料科学与工程系;北京师范大学分析测试中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家重大基础研究发展规划资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2198541
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16805
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
杨霏,陈诺夫,张兴旺,等. 低能碳离子束沉积(111)织构的立方SiC薄膜[J]. 半导体学报,2005,26(12):2385-2389.
APA 杨霏.,陈诺夫.,张兴旺.,杨少延.,刘志凯.,...&尹志刚.(2005).低能碳离子束沉积(111)织构的立方SiC薄膜.半导体学报,26(12),2385-2389.
MLA 杨霏,et al."低能碳离子束沉积(111)织构的立方SiC薄膜".半导体学报 26.12(2005):2385-2389.
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