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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effect of Silicon-on-Insulator Substrate on Residual Strain in 3C-SiC Films
作者: Wang Xiaofeng;  Huang Fengyi;  Sun Guosheng;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Zeng Yiping;  Li Haiou;  Duan Xiaofeng
发表日期: 2005
摘要: One group of SiC films are grown on silicon-on-insulator (SOI) substrates with a series of silicon-overlayer thickness. Raman scattering spectroscopy measurement clearly indicates that a systematic trend of residual stress reduction as the silicon over-layer thickness decreases for the SOI substrates. Strain relaxation in the SiC epilayer is explained by force balance approach and near coincidence lattice model.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang Xiaofeng;Huang Fengyi;Sun Guosheng;Wang Lei;Zhao Wanshun;Zeng Yiping;Li Haiou;Duan Xiaofeng.Effect of Silicon-on-Insulator Substrate on Residual Strain in 3C-SiC Films,半导体学报,2005,26(9):1681-1687
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