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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Compressively Strained InGaAs/InGaAsP Quantum Well Distributed Feedback Laser at 1.74μm
作者: Pan Jiaoqing;  Wang Wei;  Zhu Hongliang;  Zhao Qian;  Wang Baojun;  Zhou Fan;  Wang Lufeng
发表日期: 2005
摘要: The compressively strained InGaAs/InGaAsP quantum well distributed feedback laser with ridge-wave- guide is fabricated at 1.74μm. It is grown by low-pressure metal organic chemical vapor deposition(MOCVD). A strain buffer layer is used to avoid indium segregation. The threshold current of the device uncoated with length of 300μm is 11.5mA. The maximum output power is 14mW at 100mA. A side mode suppression ratio of 35.5dB is obtained.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Pan Jiaoqing;Wang Wei;Zhu Hongliang;Zhao Qian;Wang Baojun;Zhou Fan;Wang Lufeng.Compressively Strained InGaAs/InGaAsP Quantum Well Distributed Feedback Laser at 1.74μm,半导体学报,2005,26(9):1688-1691
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