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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响
作者: 苗振华;  徐应强;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  牛智川
发表日期: 2005
摘要: 用固态分子束外延技术生长了高应变.In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的In—Ga原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法,对不同退火温度下InGaAs/GaAs量子阱室温光致发光峰值波长拟合,得到了In原子在高应变InGaAs/GaAs量子阱中的扩散系数以及扩散激活能(O.88ev).
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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苗振华;徐应强;张石勇;吴东海;赵欢;牛智川.快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响,半导体学报,2005,26(9):1749-1752
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