SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
1.3μm GaAs基量子点垂直腔面发射激光器结构设计与分析
佟存柱; 牛智川; 韩勤; 吴荣汉
2005
Source Publication物理学报
Volume54Issue:8Pages:3651-3656
Abstract结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了不同结构VCSEL的腔内损耗和量子点的模式增益.分析了激光器阈值特性以及氧化限制层对光损耗的影响.设计了含氧化限制层的1.3 μm量子点VCSEL结构.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2207137
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16779
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
佟存柱,牛智川,韩勤,等. 1.3μm GaAs基量子点垂直腔面发射激光器结构设计与分析[J]. 物理学报,2005,54(8):3651-3656.
APA 佟存柱,牛智川,韩勤,&吴荣汉.(2005).1.3μm GaAs基量子点垂直腔面发射激光器结构设计与分析.物理学报,54(8),3651-3656.
MLA 佟存柱,et al."1.3μm GaAs基量子点垂直腔面发射激光器结构设计与分析".物理学报 54.8(2005):3651-3656.
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