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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 1.3μm GaAs基量子点垂直腔面发射激光器结构设计与分析
作者: 佟存柱;  牛智川;  韩勤;  吴荣汉
发表日期: 2005
摘要: 结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了不同结构VCSEL的腔内损耗和量子点的模式增益.分析了激光器阈值特性以及氧化限制层对光损耗的影响.设计了含氧化限制层的1.3 μm量子点VCSEL结构.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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佟存柱;牛智川;韩勤;吴荣汉.1.3μm GaAs基量子点垂直腔面发射激光器结构设计与分析,物理学报,2005,54(8):3651-3656
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