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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光
作者: 屈玉华;  江德生;  边历峰;  孙征;  牛智川;  徐晓华
发表日期: 2005
摘要: 嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3~1.5μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1.3μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰。变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现,高能峰只有在150K以上的测试条件下才能观测到,并且其相对强度随着温度的升高而增加,其调制光谱显示出第一类跃迁的特征。他们建立了理论模型,计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁,并与实验数据吻合得很好。同时初步讨论了改善1.3μm的低能峰发光的方法。
刊名: 发光学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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屈玉华;江德生;边历峰;孙征;牛智川;徐晓华.GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光,发光学报,2005,26(4):507-512
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