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GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光 | |
屈玉华; 江德生![]() ![]() | |
2005 | |
Source Publication | 发光学报
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Volume | 26Issue:4Pages:507-512 |
Abstract | 嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3~1.5μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1.3μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰。变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现,高能峰只有在150K以上的测试条件下才能观测到,并且其相对强度随着温度的升高而增加,其调制光谱显示出第一类跃迁的特征。他们建立了理论模型,计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁,并与实验数据吻合得很好。同时初步讨论了改善1.3μm的低能峰发光的方法。 |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Funding Organization | 国家自然科学基金资助项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2235707 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16759 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 屈玉华,江德生,边历峰,等. GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光[J]. 发光学报,2005,26(4):507-512. |
APA | 屈玉华,江德生,边历峰,孙征,牛智川,&徐晓华.(2005).GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光.发光学报,26(4),507-512. |
MLA | 屈玉华,et al."GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光".发光学报 26.4(2005):507-512. |
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