GaAs基GaAsSb／GaInAs双层量子阱的发光

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题名:	GaAs基GaAsSb／GaInAs双层量子阱的发光
作者:	屈玉华; 江德生; 边历峰; 孙征; 牛智川; 徐晓华
发表日期:	2005
摘要:	嵌入GaAs中的GaAsSb／GaInAs量子阱因其在1．3～1．5μm光通信波段发光的潜力而受到关注，我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb／GaInAs量子阱样品的光致发光，发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1．3μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰。变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现，高能峰只有在150K以上的测试条件下才能观测到，并且其相对强度随着温度的升高而增加，其调制光谱显示出第一类跃迁的特征。他们建立了理论模型，计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁，并与实验数据吻合得很好。同时初步讨论了改善1．3μm的低能峰发光的方法。
刊名:	发光学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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屈玉华;江德生;边历峰;孙征;牛智川;徐晓华.GaAs基GaAsSb／GaInAs双层量子阱的发光,发光学报,2005,26(4):507-512

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