GaAs基GaAsSb／GaInAs双层量子阱的发光

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaAs基GaAsSb／GaInAs双层量子阱的发光
	屈玉华; 江德生; 边历峰; 孙征; 牛智川; 徐晓华
	2005
Source Publication	发光学报
Volume	26 Issue:4 Pages:507-512
Abstract	嵌入GaAs中的GaAsSb／GaInAs量子阱因其在1．3～1．5μm光通信波段发光的潜力而受到关注，我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb／GaInAs量子阱样品的光致发光，发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1．3μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰。变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现，高能峰只有在150K以上的测试条件下才能观测到，并且其相对强度随着温度的升高而增加，其调制光谱显示出第一类跃迁的特征。他们建立了理论模型，计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁，并与实验数据吻合得很好。同时初步讨论了改善1．3μm的低能峰发光的方法。
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	国家自然科学基金资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2235707
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16759
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	屈玉华,江德生,边历峰,等. GaAs基GaAsSb／GaInAs双层量子阱的发光[J]. 发光学报,2005,26(4):507-512.
APA	屈玉华,江德生,边历峰,孙征,牛智川,&徐晓华.(2005).GaAs基GaAsSb／GaInAs双层量子阱的发光.发光学报,26(4),507-512.
MLA	屈玉华,et al."GaAs基GaAsSb／GaInAs双层量子阱的发光".发光学报 26.4(2005):507-512.

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