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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光
作者: 宋淑芳;  陈维德;  张春光;  卞留芳;  许振嘉
发表日期: 2005
摘要: 利用背散射/沟道(RBS/C)技术、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性。RBS/C结果表明,注入Pr后,在注入层引入了晶格损伤;注入样品经1050℃退火后,部分损伤得到恢复,但是晶体质量没有恢复到注入前的状态。AFM结果表明,注入Pr后,表面凹凸不平,而且在注入区引起了膨胀,膨胀幅度达到23.368nm左右。PL结果表明,在850—1050℃退火,发光强度按e指数增加;当退火温度达到1050℃,发光强度最强,经过数据拟合可得Pr^3+的热激活能为5.8eV。
刊名: 发光学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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宋淑芳;陈维德;张春光;卞留芳;许振嘉.掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光,发光学报,2005,26(4):513-516
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