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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Design and Fabrication of Power Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Power Amplifier Applications
作者: Xue Chunlai;  Cheng Buwen;  Yao Fei;  Wang Qiming
发表日期: 2006
摘要: A multi-finger structure power SiGe HBT device (with an emitter area of about 166μm^2) is fabricated with very simple 2μm double-mesa technology. The DC current gain β is 144.25. The B-C junction breakdown voltage reaches 9V with a collector doping concentration of 1 × 10^17cm^-3 and a collector thickness of 400nm. Though our data are influenced by large additional RF probe pads, the device exhibits a maximum oscillation frequency fmax of 10.1GHz and a cut-off frequency fτ of 1.8GHz at a DC bias point of IC=10mA and VCE = 2.5V.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Xue Chunlai;Cheng Buwen;Yao Fei;Wang Qiming.Design and Fabrication of Power Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Power Amplifier Applications,半导体学报,2006,27(1):9-13
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