SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
带有Bragg反射镜的谐振腔增强型Si光电探测器
李成; 赖虹凯; 陈松岩; 王启明
2006
Source Publication光电子·激光
Volume17Issue:1Pages:62-64
Abstract采用电子束蒸发和键合技术,制作了具有高反射率的、表面为薄层单晶Si的分布Bragg反射器。用标准光刻工艺在单晶Si薄层上制作出窄带谐振腔增强型(RCE)金属一半导体一金属(MSM)光电探测器,响应峰值波长分别在836、900、965和1030nm处,其中在900nm处峰值半高宽为18nm。该器件具有波长选择特性,可有效抑制相邻频道间的串扰,而且容易制成集成面阵。
metadata_83厦门大学物理系半导体光电于学研究中心;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization福建省青年科技人才创新资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2236948
Date Available2010-11-23
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Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16747
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李成,赖虹凯,陈松岩,等. 带有Bragg反射镜的谐振腔增强型Si光电探测器[J]. 光电子·激光,2006,17(1):62-64.
APA 李成,赖虹凯,陈松岩,&王启明.(2006).带有Bragg反射镜的谐振腔增强型Si光电探测器.光电子·激光,17(1),62-64.
MLA 李成,et al."带有Bragg反射镜的谐振腔增强型Si光电探测器".光电子·激光 17.1(2006):62-64.
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