SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源
赵谦; 潘教青; 张靖; 周光涛; 伍剑; 周帆; 王宝军; 王鲁峰; 王圩
2006
Source Publication物理学报
Volume55Issue:1Pages:261-266
Abstract采用超低压(22×10^2Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal—organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术成功制备了InGaAsP/InGaAsP级联电吸收调制器(electroabsorption modulator,EAM)与分布反馈激光器(distributed feedback laser,DFB)单片集成光源的新型光电器件.实验结果表明,采用该技术制备的器件具有良好的性能
metadata_83中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心;北京邮电大学
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展计划(973)项目,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2241426
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16741
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
赵谦,潘教青,张靖,等. 超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源[J]. 物理学报,2006,55(1):261-266.
APA 赵谦.,潘教青.,张靖.,周光涛.,伍剑.,...&王圩.(2006).超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源.物理学报,55(1),261-266.
MLA 赵谦,et al."超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源".物理学报 55.1(2006):261-266.
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