SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
掩埋式多模干涉型分束器的反射性能
夏君磊; 吴远大; 安俊明; 郜定山; 李健; 胡雄伟
2006
Source Publication光学技术
Volume32Issue:1Pages:80-81
Abstract通过束传播方法(RPM)模拟了SiO2基掩埋式波导结构多模干涉(MMI)型分束器的反射性能,模拟结果表明,MMI工作在分束模式时存在最优的多模干涉长度实现最大输出和最小反射,而在合束模式下实现最大输出时反射也达到最大,这是由自映象原理决定的。SiO2基掩埋式波导结构MMI分束器对反射具有良好的抑制作用,其最大反射功率为-60dB。分析表明,多模干涉区末端的界面反射率决定了器件的反射强弱,SiO2基掩埋式波导的界面反射率非常低,这是其低反射的原因。
metadata_83中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2253425
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16737
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
夏君磊,吴远大,安俊明,等. 掩埋式多模干涉型分束器的反射性能[J]. 光学技术,2006,32(1):80-81.
APA 夏君磊,吴远大,安俊明,郜定山,李健,&胡雄伟.(2006).掩埋式多模干涉型分束器的反射性能.光学技术,32(1),80-81.
MLA 夏君磊,et al."掩埋式多模干涉型分束器的反射性能".光学技术 32.1(2006):80-81.
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