SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
化学气相传输法生长ZnO单晶
赵有文; 董志远; 魏学成; 段满龙; 李晋闽
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:2Pages:336-339
Abstract利用化学气相传输法生长了ZnO单晶.通过控制源区和生长端的温度梯度,使用碳辅助增强质量传尊挚应,在无籽晶自发成核的条件下,得到了晶粒尺寸达5mm×8mm的ZnO晶体.利用长有GaN层的蓝宝石号片待为籽晶,得到了直径32mm、厚4mm左右的ZnO单晶体.用光致发光谱和X射线双晶衍射研究了ZnO晶体的性质并对生长的热力学过程和现象进行了分析.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2317920
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16727
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
赵有文,董志远,魏学成,等. 化学气相传输法生长ZnO单晶[J]. 半导体学报,2006,27(2):336-339.
APA 赵有文,董志远,魏学成,段满龙,&李晋闽.(2006).化学气相传输法生长ZnO单晶.半导体学报,27(2),336-339.
MLA 赵有文,et al."化学气相传输法生长ZnO单晶".半导体学报 27.2(2006):336-339.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4320.pdf(357KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[赵有文]'s Articles
[董志远]'s Articles
[魏学成]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[赵有文]'s Articles
[董志远]'s Articles
[魏学成]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[赵有文]'s Articles
[董志远]'s Articles
[魏学成]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.