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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 纳米Si镶嵌SiO2薄膜的发光与非线性光学特性的应用
作者: 郭亨群;  林赏心;  王启明
发表日期: 2006
摘要: 采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备了纳米Si镶嵌SiO2薄膜,在室温下观察到光致发光现象,峰值分别位于360,430和835nm,结合吸收谱、光致发光激发谱和X射线衍射分析讨论了发光机理.利用纳米Si镶嵌SiO2薄膜的非线性光学特性可作为可饱和吸收体,在Nd
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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郭亨群;林赏心;王启明.纳米Si镶嵌SiO2薄膜的发光与非线性光学特性的应用,半导体学报,2006,27(2):345-349
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