SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半导体量子阱材料微加工光子晶体的光学特性
许兴胜; 熊志刚; 孙增辉; 杜伟; 鲁琳; 陈弘达; 金爱子; 张道中
2006
Source Publication物理学报
Volume55Issue:3Pages:1248-1252
Abstract利用聚焦离子束刻蚀方法和电子柬制版结合干法刻蚀方法制备了二维近红外波段光子晶体,发现两种方法都可以制备出均匀的二维光子晶体,聚焦离子束方法操作简单,电子束制版结合干法刻蚀方法操作步骤复杂.光谱测试表明,利用聚焦离子束方法在有源材料上刻蚀的光子晶体不发光,而电子束制版结合干法刻蚀方法制备的小晶格常数光子晶体即使有些无序,其出光效率也提高到没有光子晶体时的两倍.对两种方法所加工的光子晶体不发光和提高出光效率的机理进行了分析.
metadata_83中国科学院半导体研究所;中国科学院物理研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2341302
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:4[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16705
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
许兴胜,熊志刚,孙增辉,等. 半导体量子阱材料微加工光子晶体的光学特性[J]. 物理学报,2006,55(3):1248-1252.
APA 许兴胜.,熊志刚.,孙增辉.,杜伟.,鲁琳.,...&张道中.(2006).半导体量子阱材料微加工光子晶体的光学特性.物理学报,55(3),1248-1252.
MLA 许兴胜,et al."半导体量子阱材料微加工光子晶体的光学特性".物理学报 55.3(2006):1248-1252.
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