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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 用于10Gb/s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源
作者: 赵谦;  潘教青;  张靖;  李宝霞;  周帆;  王宝军;  王鲁峰;  边静;  赵玲娟;  王圩
发表日期: 2006
摘要: 采用超低压(22×10^2Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition。MOCVD)技术成功制备了应变型InGaAsP/InGaAsP电吸收调制器(electroabsorption modulator,EAM)与分布反馈激光器(distribute feedback laser,DFB)单片集成光源的新型光电器件.实验结果表明。采用该技术制备的集成器件表现出了良好的性能
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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赵谦;潘教青;张靖;李宝霞;周帆;王宝军;王鲁峰;边静;赵玲娟;王圩.用于10Gb/s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源,物理学报,2006,55(3):1259-1263
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