SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用于10Gb/s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源
赵谦; 潘教青; 张靖; 李宝霞; 周帆; 王宝军; 王鲁峰; 边静; 赵玲娟; 王圩
2006
Source Publication物理学报
Volume55Issue:3Pages:1259-1263
Abstract采用超低压(22×10^2Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition。MOCVD)技术成功制备了应变型InGaAsP/InGaAsP电吸收调制器(electroabsorption modulator,EAM)与分布反馈激光器(distribute feedback laser,DFB)单片集成光源的新型光电器件.实验结果表明。采用该技术制备的集成器件表现出了良好的性能
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展规划(973)项目,国家高技术研究发展计划(863)项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2341309
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16703
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
赵谦,潘教青,张靖,等. 用于10Gb/s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源[J]. 物理学报,2006,55(3):1259-1263.
APA 赵谦.,潘教青.,张靖.,李宝霞.,周帆.,...&王圩.(2006).用于10Gb/s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源.物理学报,55(3),1259-1263.
MLA 赵谦,et al."用于10Gb/s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源".物理学报 55.3(2006):1259-1263.
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