SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究
宋淑芳; 陈维德; 许振嘉; 徐叙瑢
2006
Source Publication物理学报
Volume55Issue:3Pages:1407-1412
Abstract利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0.270eV处有一个深能级;GaN注入Er经900℃,30min退火后的样品出现了四个深能级,能级位置位于导带下0.300eV,0.188eV,0.600eV和0.410eV;GaN注入Pr经1050℃,30min退火后的样品同样出现了四个深能级。能级位置位于导带下0.280eV,0.190eV,0.610eV和0.390eV;对每一个深能级的来源进行了讨论.光谱研究表明,掺Er的GaN样品经900℃,30min退火后,可以观察到Er的1538nm处的发光。而且对能量输运和发光过程进行了讨论.
metadata_83北京交通大学光电子研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划项目(973计划),中国博士后科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2341373
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16701
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
宋淑芳,陈维德,许振嘉,等. 掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究[J]. 物理学报,2006,55(3):1407-1412.
APA 宋淑芳,陈维德,许振嘉,&徐叙瑢.(2006).掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究.物理学报,55(3),1407-1412.
MLA 宋淑芳,et al."掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究".物理学报 55.3(2006):1407-1412.
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