高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究
作者: 宋淑芳;  陈维德;  许振嘉;  徐叙瑢
发表日期: 2006
摘要: 利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0.270eV处有一个深能级;GaN注入Er经900℃,30min退火后的样品出现了四个深能级,能级位置位于导带下0.300eV,0.188eV,0.600eV和0.410eV;GaN注入Pr经1050℃,30min退火后的样品同样出现了四个深能级。能级位置位于导带下0.280eV,0.190eV,0.610eV和0.390eV;对每一个深能级的来源进行了讨论.光谱研究表明,掺Er的GaN样品经900℃,30min退火后,可以观察到Er的1538nm处的发光。而且对能量输运和发光过程进行了讨论.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
4307.pdf421KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
宋淑芳;陈维德;许振嘉;徐叙瑢.掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究,物理学报,2006,55(3):1407-1412
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [宋淑芳]的文章
 [陈维德]的文章
 [许振嘉]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [宋淑芳]的文章
 [陈维德]的文章
 [许振嘉]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发