SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半导体中的自旋弛豫——从体材料到量子阱、量子线、量子点
王建伟; 李树深; 夏建白
2006
Source Publication物理学进展
Volume26Issue:2Pages:228-249
Abstract本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。对于不同材料中的各种弛豫机制,关注的重点在于如何能够在实验上以一种可以控制的方式来改变可调参数从而达到控制自旋弛豫过程。这些参数主要有电场、磁场、温度、应变、有效g因子等等。本文的组织上,首先介绍研究前景,第1部分简要介绍了自旋弛豫的四种机制。第2部分按照维数的不同将半导体中自旋弛豫分为3个部分
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2348860
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16695
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王建伟,李树深,夏建白. 半导体中的自旋弛豫——从体材料到量子阱、量子线、量子点[J]. 物理学进展,2006,26(2):228-249.
APA 王建伟,李树深,&夏建白.(2006).半导体中的自旋弛豫——从体材料到量子阱、量子线、量子点.物理学进展,26(2),228-249.
MLA 王建伟,et al."半导体中的自旋弛豫——从体材料到量子阱、量子线、量子点".物理学进展 26.2(2006):228-249.
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