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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 影响集成电感性能的关键因素
作者: 姚飞;  成步文;  王启明
发表日期: 2006
摘要: 片上集成电感是单片集成射频电路、微波电路及光电集成电路中不可缺少的重要元件。高Q值的片上集成电感是IC工作者追求的目标。衬底损耗和金属损耗一直被认为是限制集成电感品质的主要因素,文中实例为证,在尽量消除衬底损耗和减小金属损耗条件下。得出它们并不是片上集成电感的决定性限制因素。本文从电感的定义出发,得出电感螺旋线之间磁通量的相互抵消是集成电感不能获得高Q值的决定因素。并通过螺旋电感的模拟计算和结合已有的实验,对此论点进行了论证。
刊名: 电子器件
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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姚飞;成步文;王启明.影响集成电感性能的关键因素,电子器件,2006,29(1):105-109
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