SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
影响集成电感性能的关键因素
姚飞; 成步文; 王启明
2006
Source Publication电子器件
Volume29Issue:1Pages:105-109
Abstract片上集成电感是单片集成射频电路、微波电路及光电集成电路中不可缺少的重要元件。高Q值的片上集成电感是IC工作者追求的目标。衬底损耗和金属损耗一直被认为是限制集成电感品质的主要因素,文中实例为证,在尽量消除衬底损耗和减小金属损耗条件下。得出它们并不是片上集成电感的决定性限制因素。本文从电感的定义出发,得出电感螺旋线之间磁通量的相互抵消是集成电感不能获得高Q值的决定因素。并通过螺旋电感的模拟计算和结合已有的实验,对此论点进行了论证。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization863计划项目资助,973研究项目资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2350002
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16687
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
姚飞,成步文,王启明. 影响集成电感性能的关键因素[J]. 电子器件,2006,29(1):105-109.
APA 姚飞,成步文,&王启明.(2006).影响集成电感性能的关键因素.电子器件,29(1),105-109.
MLA 姚飞,et al."影响集成电感性能的关键因素".电子器件 29.1(2006):105-109.
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