SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制
赵有文; 董志远; 李成基; 段满龙; 孙文荣
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:3Pages:524-529
Abstract综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给出了抑制缺陷产生,提高材料质量的途径.对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2351019
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16677
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
赵有文,董志远,李成基,等. 半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制[J]. 半导体学报,2006,27(3):524-529.
APA 赵有文,董志远,李成基,段满龙,&孙文荣.(2006).半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制.半导体学报,27(3),524-529.
MLA 赵有文,et al."半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制".半导体学报 27.3(2006):524-529.
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