半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制
	赵有文; 董志远; 李成基; 段满龙; 孙文荣
	2006
Source Publication	半导体学报
Volume	27 Issue:3 Pages:524-529
Abstract	综合深能级缺陷和电学性质的测试结果，证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关．通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系，给出了抑制缺陷产生，提高材料质量的途径．对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论。
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2351019
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16677
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	赵有文,董志远,李成基,等. 半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制[J]. 半导体学报,2006,27(3):524-529.
APA	赵有文,董志远,李成基,段满龙,&孙文荣.(2006).半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制.半导体学报,27(3),524-529.
MLA	赵有文,et al."半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制".半导体学报 27.3(2006):524-529.

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