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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器
作者: 韩勤;  彭红玲;  杜云;  倪海桥;  赵欢;  牛智川;  吴荣汉
发表日期: 2006
摘要: 利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究.无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10^12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽4nm,具有良好的波长选择性.
刊名: 光子学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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韩勤;彭红玲;杜云;倪海桥;赵欢;牛智川;吴荣汉.1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器,光子学报,2006,35(4):549-551
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