1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器

高级检索注册


	研究部门
	学科主题
	内容类型期刊论文学位论文会议论文专著演示报告成果专利其他
	所有条目
	所有作者

题名:	1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器
作者:	韩勤; 彭红玲; 杜云; 倪海桥; 赵欢; 牛智川; 吴荣汉
发表日期:	2006
摘要:	利用低温（200℃）生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1．55μm谐振腔增强型（RCE）光电探测器，对其光电特性进行了分析、研究．无光照0偏压下探测器暗电流为8．0×10^12A；光电流谱峰值波长1563nm；响应谱线半宽4nm，具有良好的波长选择性．
刊名:	光子学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

条目包含的文件

文件		大小	格式
4293.pdf		183Kb	Adobe PDF	联系获取全文

许可声明：条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。

推荐引用方式：

韩勤;彭红玲;杜云;倪海桥;赵欢;牛智川;吴荣汉.1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器,光子学报,2006,35(4):549-551

所有评论 (0)

暂无评论