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1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器 | |
韩勤![]() ![]() ![]() | |
2006 | |
Source Publication | 光子学报
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Volume | 35Issue:4Pages:549-551 |
Abstract | 利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究.无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10^12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽4nm,具有良好的波长选择性. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体器件 |
Funding Organization | 国家自然科学基金,国家973计划,863计划资助项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2355751 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16673 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 韩勤,彭红玲,杜云,等. 1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器[J]. 光子学报,2006,35(4):549-551. |
APA | 韩勤.,彭红玲.,杜云.,倪海桥.,赵欢.,...&吴荣汉.(2006).1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器.光子学报,35(4),549-551. |
MLA | 韩勤,et al."1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器".光子学报 35.4(2006):549-551. |
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