1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器
	韩勤; 彭红玲; 杜云; 倪海桥; 赵欢; 牛智川; 吴荣汉
	2006
Source Publication	光子学报
Volume	35 Issue:4 Pages:549-551
Abstract	利用低温（200℃）生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1．55μm谐振腔增强型（RCE）光电探测器，对其光电特性进行了分析、研究．无光照0偏压下探测器暗电流为8．0×10^12A；光电流谱峰值波长1563nm；响应谱线半宽4nm，具有良好的波长选择性．
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体器件
Funding Organization	国家自然科学基金,国家973计划,863计划资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2355751
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16673
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	韩勤,彭红玲,杜云,等. 1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器[J]. 光子学报,2006,35(4):549-551.
APA	韩勤.,彭红玲.,杜云.,倪海桥.,赵欢.,...&吴荣汉.(2006).1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器.光子学报,35(4),549-551.
MLA	韩勤,et al."1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器".光子学报 35.4(2006):549-551.

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