SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaN/AlN组织平顶金字塔量子点的应变场分布
刘玉敏; 俞重远; 杨红波; 黄永箴
2006
Source Publication光电子·激光
Volume17Issue:4Pages:381-385
Abstract利用有限元法,研究了GaN/AlN自组织量子点材料的应变场分布。量子点模型采用了实验观察到的六角平顶金字塔形状,材料的弹性常数考虑了晶体材料的Wurtzite结构特性。在晶格失配处理上,采用了三维各项异性伪热膨胀模型。将基于有限元法的计算结果与简化的基于格林函数理论的解析计算结果进行了比较,验证了模型和计算结论的正确性。最后,讨论了各向异性效应对层间量子点垂直对准的影响,指出量子点材料的各向异性效应可以忽略。本文采用的模型没有采用类似解析计算的假设条件,因此在计算精度和可靠性上,要优于格林函数法。
metadata_83北京邮电大学理学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家“973”重点基础研究发展计划资助项目,国家“863”高技术研究发展计划资助项目,集成光电子学国家重点联合实验室开放资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2355874
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16669
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘玉敏,俞重远,杨红波,等. GaN/AlN组织平顶金字塔量子点的应变场分布[J]. 光电子·激光,2006,17(4):381-385.
APA 刘玉敏,俞重远,杨红波,&黄永箴.(2006).GaN/AlN组织平顶金字塔量子点的应变场分布.光电子·激光,17(4),381-385.
MLA 刘玉敏,et al."GaN/AlN组织平顶金字塔量子点的应变场分布".光电子·激光 17.4(2006):381-385.
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