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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaN/AlN组织平顶金字塔量子点的应变场分布
作者: 刘玉敏;  俞重远;  杨红波;  黄永箴
发表日期: 2006
摘要: 利用有限元法,研究了GaN/AlN自组织量子点材料的应变场分布。量子点模型采用了实验观察到的六角平顶金字塔形状,材料的弹性常数考虑了晶体材料的Wurtzite结构特性。在晶格失配处理上,采用了三维各项异性伪热膨胀模型。将基于有限元法的计算结果与简化的基于格林函数理论的解析计算结果进行了比较,验证了模型和计算结论的正确性。最后,讨论了各向异性效应对层间量子点垂直对准的影响,指出量子点材料的各向异性效应可以忽略。本文采用的模型没有采用类似解析计算的假设条件,因此在计算精度和可靠性上,要优于格林函数法。
刊名: 光电子·激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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刘玉敏;俞重远;杨红波;黄永箴.GaN/AlN组织平顶金字塔量子点的应变场分布,光电子·激光,2006,17(4):381-385
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