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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 高电导本征纳米硅膜及其缓冲层太阳能电池
作者: 崔敏;  张维佳;  钟立志;  吴小文;  王天民;  李国华
发表日期: 2006
摘要: 通过PECVD法制备了纳米硅薄膜(nc-Si:H),采用Raman散射谱,AFM对样品的结构和形貌进行了测试,并测试了样品的室温电导率。结果表明:制备出的纳米硅薄膜,其电导率达到4.9S·cm-1。另外制备了本征nc-Si:H膜作缓冲层,结构为ITO/n+-nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Ag的PIN型太阳能电池,其Voc达到534.7mV,Isc达到49.24mA(3cm2),填充因子FF为0.4228。
刊名: 电子元件与材料
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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崔敏;张维佳;钟立志;吴小文;王天民;李国华.高电导本征纳米硅膜及其缓冲层太阳能电池,电子元件与材料,2006,25(4):47-49
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