SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高电导本征纳米硅膜及其缓冲层太阳能电池
崔敏; 张维佳; 钟立志; 吴小文; 王天民; 李国华
2006
Source Publication电子元件与材料
Volume25Issue:4Pages:47-49
Abstract通过PECVD法制备了纳米硅薄膜(nc-Si:H),采用Raman散射谱,AFM对样品的结构和形貌进行了测试,并测试了样品的室温电导率。结果表明:制备出的纳米硅薄膜,其电导率达到4.9S·cm-1。另外制备了本征nc-Si:H膜作缓冲层,结构为ITO/n+-nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Ag的PIN型太阳能电池,其Voc达到534.7mV,Isc达到49.24mA(3cm2),填充因子FF为0.4228。
metadata_83北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2356942
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16667
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
崔敏,张维佳,钟立志,等. 高电导本征纳米硅膜及其缓冲层太阳能电池[J]. 电子元件与材料,2006,25(4):47-49.
APA 崔敏,张维佳,钟立志,吴小文,王天民,&李国华.(2006).高电导本征纳米硅膜及其缓冲层太阳能电池.电子元件与材料,25(4),47-49.
MLA 崔敏,et al."高电导本征纳米硅膜及其缓冲层太阳能电池".电子元件与材料 25.4(2006):47-49.
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