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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 键合法制备硅基1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器
作者: 于丽娟;  赵洪泉;  杜云;  黄永箴
发表日期: 2006
摘要: 在硅基上成功地制备出了1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器.设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料,通过直接键合技术,将Si衬底与InP-InGaAsP外延片键合到一起.剥离去掉InP衬底后,在5~6μm的薄膜上制备出20μm条形边发射激光器.室温下,阈值电流160mA(电流密度为2.7kA/cm^2),功率可达10mW以上(在约350mA电流下),实现了1.55μm长波长边发射激光器与Si的集成.目前,该结果国际上还未见报道.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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于丽娟;赵洪泉;杜云;黄永箴.键合法制备硅基1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器,半导体学报,2006,27(4):741-743
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