SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
紫外写入技术制备光波导器件研究
吴远大; 夏君磊; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:4Pages:744-746
Abstract研究了采用PECVD方法生长的Si基SiO2波导材料的光敏特性.经过高压载氢处理,利用KrF准分子激光脉冲(工作波长为248nm)在波导材料中诱导出的折射率变化量达到0.005,相对值约增加0.34%.详细研究了紫外光诱导出的折射率变化沿样品深度方向的分布情况.最后,采用紫外写入法在PECVD方法生长的Si基SiO2波导芯层中制备出了单模波导和Y分束器样品,并观测到了通光现象,实测结果与模拟结果一致.
metadata_83中国科学院半导体研究所光电研发中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2358807
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16649
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
吴远大,夏君磊,安俊明,等. 紫外写入技术制备光波导器件研究[J]. 半导体学报,2006,27(4):744-746.
APA 吴远大,夏君磊,安俊明,李建光,王红杰,&胡雄伟.(2006).紫外写入技术制备光波导器件研究.半导体学报,27(4),744-746.
MLA 吴远大,et al."紫外写入技术制备光波导器件研究".半导体学报 27.4(2006):744-746.
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