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| 紫外写入技术制备光波导器件研究 | |
吴远大; 夏君磊; 安俊明 ; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 2006 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 27Issue:4Pages:744-746 |
| Abstract | 研究了采用PECVD方法生长的Si基SiO2波导材料的光敏特性．经过高压载氢处理，利用KrF准分子激光脉冲（工作波长为248nm）在波导材料中诱导出的折射率变化量达到0．005，相对值约增加0．34％．详细研究了紫外光诱导出的折射率变化沿样品深度方向的分布情况．最后，采用紫外写入法在PECVD方法生长的Si基SiO2波导芯层中制备出了单模波导和Y分束器样品，并观测到了通光现象，实测结果与模拟结果一致． |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所光电研发中心 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金资助项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:2358807 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16649 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 吴远大,夏君磊,安俊明,等. 紫外写入技术制备光波导器件研究[J]. 半导体学报,2006,27(4):744-746. |
| APA | 吴远大,夏君磊,安俊明,李建光,王红杰,&胡雄伟.(2006).紫外写入技术制备光波导器件研究.半导体学报,27(4),744-746. |
| MLA | 吴远大,et al."紫外写入技术制备光波导器件研究".半导体学报 27.4(2006):744-746. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
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