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紫外写入技术制备光波导器件研究 | |
吴远大; 夏君磊; 安俊明![]() | |
2006 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 27Issue:4Pages:744-746 |
Abstract | 研究了采用PECVD方法生长的Si基SiO2波导材料的光敏特性.经过高压载氢处理,利用KrF准分子激光脉冲(工作波长为248nm)在波导材料中诱导出的折射率变化量达到0.005,相对值约增加0.34%.详细研究了紫外光诱导出的折射率变化沿样品深度方向的分布情况.最后,采用紫外写入法在PECVD方法生长的Si基SiO2波导芯层中制备出了单模波导和Y分束器样品,并观测到了通光现象,实测结果与模拟结果一致. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所光电研发中心 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金资助项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2358807 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16649 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 吴远大,夏君磊,安俊明,等. 紫外写入技术制备光波导器件研究[J]. 半导体学报,2006,27(4):744-746. |
APA | 吴远大,夏君磊,安俊明,李建光,王红杰,&胡雄伟.(2006).紫外写入技术制备光波导器件研究.半导体学报,27(4),744-746. |
MLA | 吴远大,et al."紫外写入技术制备光波导器件研究".半导体学报 27.4(2006):744-746. |
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