SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性
周文政; 姚炜; 朱博; 仇志军; 郭少令; 林铁; 崔利杰; 桂永胜; 褚君浩
2006
Source Publication物理学报
Volume55Issue:4Pages:2044-2048
Abstract研究了双子带占据的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应,获得了不同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置.低磁感应强度(B〈1.5T)下由迁移率谱和多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致.在d^2ρ/dB^2-1/B的快速傅里叶变换谱中,观察到除了通常强烈依赖温度的对应于各子带的频率f1和f2以及f1的倍频(2f1)外,还观察到对温度不敏感的频率f1-f2.这是由于量子阱中不同子带的电子具有相近的有效质量,两个子带之间发生了强烈的磁致子带间散射.
metadata_83中国科学院上海技术物理研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展规划资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2360344
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16645
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周文政,姚炜,朱博,等. 单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性[J]. 物理学报,2006,55(4):2044-2048.
APA 周文政.,姚炜.,朱博.,仇志军.,郭少令.,...&褚君浩.(2006).单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性.物理学报,55(4),2044-2048.
MLA 周文政,et al."单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性".物理学报 55.4(2006):2044-2048.
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