SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
掺铒a-Si_xC_(1-x)-H薄膜的发光特性
卞留芳; 张春光; 陈维德; 许振嘉; 屈玉华; 刁宏伟
2006
Source Publication中国稀土学报
Volume24Issue:4Pages:395-398
Abstract用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 的方法,以固定的氢气(H2)流量和不同的硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)流量比沉积了一系列的氢化非晶SiC(a-SixC1-x-H)膜.用这种宽带隙的a-SixC1-x-H材料作为掺铒的基体材料,通过离子注入的方法得到掺铒的a-SixC1-x-H(a-SixC1-x-H:Er)膜.注入以后的样品经过不同温度的退火.用X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、拉曼散射谱(Raman)等技术研究不同的SiH4/CH4流量比和退火温度对a-SixC1-x-H:Er发光强度的影响.结果表明,高温退火引起了膜中C的分凝,对铒的发光是不利的.通过低温和室温下铒发光强度的比较,表明这种材料具有较弱的温度猝灭效应.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16635
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
卞留芳,张春光,陈维德,等. 掺铒a-Si_xC_(1-x)-H薄膜的发光特性[J]. 中国稀土学报,2006,24(4):395-398.
APA 卞留芳,张春光,陈维德,许振嘉,屈玉华,&刁宏伟.(2006).掺铒a-Si_xC_(1-x)-H薄膜的发光特性.中国稀土学报,24(4),395-398.
MLA 卞留芳,et al."掺铒a-Si_xC_(1-x)-H薄膜的发光特性".中国稀土学报 24.4(2006):395-398.
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