InP/Si键合界面热应力分析

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InP/Si键合界面热应力分析
	刘志强; 王良臣; 于丽娟; 郭金霞; 伊晓燕; 马龙; 王立彬; 陈宇
	2006
Source Publication	半导体光电
Volume	27 Issue:4 Pages:429-433
Abstract	从理论上分析了键合热应力产生的原因,在此基础上,采用双层条状金属热应力模型讨论InP/Si键合过程中应力的大小及分布情况.结果表明, 由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因,同时InP/Si键合合适的退火温度应该在250～300 ℃.最后在300 ℃退火条件下很好地实现了InP/Si键合,界面几乎没有气泡,有效键合面积超过90%.
metadata_83	中国科学院半导体研究所,集成技术中心
Subject Area	微电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2417934
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16633
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘志强,王良臣,于丽娟,等. InP/Si键合界面热应力分析[J]. 半导体光电,2006,27(4):429-433.
APA	刘志强.,王良臣.,于丽娟.,郭金霞.,伊晓燕.,...&陈宇.(2006).InP/Si键合界面热应力分析.半导体光电,27(4),429-433.
MLA	刘志强,et al."InP/Si键合界面热应力分析".半导体光电 27.4(2006):429-433.

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