SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
SOI基可变光学衰减器的回波损耗研究
陈鹏; 方青; 李芳; 刘育梁
2006
Source Publication半导体光电
Volume27Issue:4Pages:370-372
Abstract采用倾斜3.4°抛光SOI波导端面和在波导端面镀TiO2减反膜的方法,使SOI基动态可调光学衰减器的插入损耗减小了1.6 dB,而且回波损耗由8 dB提高至57 dB,解决了SOI波导器件回波严重这一实用化过程中的关键问题.利用上述方法研制出了完整封装的SOI基可变光学衰减器样品.
metadata_83中国科学院半导体研究所,光电子研发中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家"863"计划项目,国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2417957
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16631
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
陈鹏,方青,李芳,等. SOI基可变光学衰减器的回波损耗研究[J]. 半导体光电,2006,27(4):370-372.
APA 陈鹏,方青,李芳,&刘育梁.(2006).SOI基可变光学衰减器的回波损耗研究.半导体光电,27(4),370-372.
MLA 陈鹏,et al."SOI基可变光学衰减器的回波损耗研究".半导体光电 27.4(2006):370-372.
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