SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
基于共振隧穿二极管的集成电路研究
马龙; 杨富华; 王良臣; 余洪敏; 黄应龙
2006
Source Publication电子器件
Volume29Issue:3Pages:627-634
AbstractRTD基集成电路所具有的超高速、低功耗和自锁存的特性,使其在数字电路、混合信号电路以及光电子系统中有着重要的应用。首先对RTD与化合物半导体HEMT,HBT以及硅CMOS器件的集成工艺进行了介绍。在MOBILE电路及其进和延伸的基础上,对高速ADC/DAC电路和低功耗的存储器电路进行了具体的分析。最后对RTD基电路面临的主要问题和挑战进行了讨论,提出基于硅基RTD与线性阈值门(LTG)逻辑相结合是未来纳米级超大规模集成电路的最佳发展方向.
metadata_83中国科学院半导体研究所半导体集成技术中心
Subject Area微电子学
Funding Organization国家863计划资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2421978
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16629
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
马龙,杨富华,王良臣,等. 基于共振隧穿二极管的集成电路研究[J]. 电子器件,2006,29(3):627-634.
APA 马龙,杨富华,王良臣,余洪敏,&黄应龙.(2006).基于共振隧穿二极管的集成电路研究.电子器件,29(3),627-634.
MLA 马龙,et al."基于共振隧穿二极管的集成电路研究".电子器件 29.3(2006):627-634.
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