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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 基于共振隧穿二极管的集成电路研究
作者: 马龙;  杨富华;  王良臣;  余洪敏;  黄应龙
发表日期: 2006
摘要: RTD基集成电路所具有的超高速、低功耗和自锁存的特性,使其在数字电路、混合信号电路以及光电子系统中有着重要的应用。首先对RTD与化合物半导体HEMT,HBT以及硅CMOS器件的集成工艺进行了介绍。在MOBILE电路及其进和延伸的基础上,对高速ADC/DAC电路和低功耗的存储器电路进行了具体的分析。最后对RTD基电路面临的主要问题和挑战进行了讨论,提出基于硅基RTD与线性阈值门(LTG)逻辑相结合是未来纳米级超大规模集成电路的最佳发展方向.
刊名: 电子器件
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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马龙;杨富华;王良臣;余洪敏;黄应龙.基于共振隧穿二极管的集成电路研究,电子器件,2006,29(3):627-634
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