SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
基于RTD与CMOS的新型数字电路设计
马龙; 王良臣; 黄应龙; 杨富华
2006
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume26Issue:3Pages:295-299
Abstract纳米电子器件RTD与CMOS电路结合,这种新型电路不仅保持了CMOS动态电路的所有优点,而且在工作速度、功耗、集成度以及电路噪声免疫性方面都得到了不同程度的改善和提高。文中对数字电路中比较典型的可编程逻辑门、全加器电路进行了设计与模拟,并在此基础上对4*4阵列纳米流水线乘法器进行了结构设计。同时讨论了在目前硅基RTD器件较低的PVCR值情况下实现相应电路的可行性。
metadata_83中国科学院半导体研究所半导体集成技术研究中心
Subject Area微电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2422304
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16627
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
马龙,王良臣,黄应龙,等. 基于RTD与CMOS的新型数字电路设计[J]. 固体电子学研究与进展,2006,26(3):295-299.
APA 马龙,王良臣,黄应龙,&杨富华.(2006).基于RTD与CMOS的新型数字电路设计.固体电子学研究与进展,26(3),295-299.
MLA 马龙,et al."基于RTD与CMOS的新型数字电路设计".固体电子学研究与进展 26.3(2006):295-299.
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