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| 离子束溅射制备Si／Ge多层膜及红外吸收性能研究 | |
| 刘焕林; 郝瑞亭; 杨宇 | |
| 2006 | |
| Source Publication | 人工晶体学报
 |
| Volume | 35Issue:2Pages:280-284 |
| Abstract | 采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si／Ge多层膜。通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si／Ge多层膜样品。通过X射线衍射、拉曼散射、原子力显微分析（AFM）等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系。在小束流（10mA）、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的Si／Ge多层膜。通过红外吸收谱的测量发现薄膜样品具有较好的红外吸收性能。 |
| metadata_83 | 云南大学材料科学与工程系;中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 云南省自然科学基金资助项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:2426222 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16625 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘焕林,郝瑞亭,杨宇. 离子束溅射制备Si／Ge多层膜及红外吸收性能研究[J]. 人工晶体学报,2006,35(2):280-284. |
| APA | 刘焕林,郝瑞亭,&杨宇.(2006).离子束溅射制备Si／Ge多层膜及红外吸收性能研究.人工晶体学报,35(2),280-284. |
| MLA | 刘焕林,et al."离子束溅射制备Si／Ge多层膜及红外吸收性能研究".人工晶体学报 35.2(2006):280-284. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4269.pdf（297KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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