SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究
刘焕林; 郝瑞亭; 杨宇
2006
Source Publication人工晶体学报
Volume35Issue:2Pages:280-284
Abstract采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si/Ge多层膜。通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si/Ge多层膜样品。通过X射线衍射、拉曼散射、原子力显微分析(AFM)等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系。在小束流(10mA)、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的Si/Ge多层膜。通过红外吸收谱的测量发现薄膜样品具有较好的红外吸收性能。
metadata_83云南大学材料科学与工程系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization云南省自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2426222
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16625
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
刘焕林,郝瑞亭,杨宇. 离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究[J]. 人工晶体学报,2006,35(2):280-284.
APA 刘焕林,郝瑞亭,&杨宇.(2006).离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究.人工晶体学报,35(2),280-284.
MLA 刘焕林,et al."离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究".人工晶体学报 35.2(2006):280-284.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4269.pdf(297KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[刘焕林]'s Articles
[郝瑞亭]'s Articles
[杨宇]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[刘焕林]'s Articles
[郝瑞亭]'s Articles
[杨宇]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[刘焕林]'s Articles
[郝瑞亭]'s Articles
[杨宇]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.