SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究
赵有文; 董志远; 魏学成; 段满龙; 李晋闽
2006
Source Publication人工晶体学报
Volume35Issue:2Pages:404-408
Abstract利用化学气相传输法生长了ZnO单晶。在无籽晶自发成核的条件下,使用碳辅助增强质量传输方法,得到了晶粒尺寸达4mm×10mm的ZnO晶体。利用长有GaN层的蓝宝石晶片作为衬底,得到了直径为30mm、厚2mm左右的ZnO单晶体。比较了不同温度条件下晶体生长的结果并进行热力学过程和现象了分析。用光荧光谱和X射线双晶衍射研究了ZnO晶体的性质。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2426250
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16623
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
赵有文,董志远,魏学成,等. 化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究[J]. 人工晶体学报,2006,35(2):404-408.
APA 赵有文,董志远,魏学成,段满龙,&李晋闽.(2006).化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究.人工晶体学报,35(2),404-408.
MLA 赵有文,et al."化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究".人工晶体学报 35.2(2006):404-408.
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