SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InAs/GaAs透镜形量子点超晶格材料的纵向和横向周期对应变场分布的影响
刘玉敏; 俞重远; 杨红波; 黄永箴
2006
Source Publication物理学报
Volume55Issue:10Pages:5023-5029
Abstract对量子点超晶格材料中量子点纵向周期和同层量子点的横向周期间距对量子点及其周围应变场分布的影响进行了系统的研究.结果表明,横向和纵向周期通过衬底材料之间的长程相互作用对量子点沿中心轴路径应变分布的影响效果正好相反,在适当条件下,两者对量子点应变场分布的影响可以部分抵消.同时也论证了在单层量子点和超晶格量子点材料中,计算量子点的电子结构时,应综合考虑量子点空间周期分布对载流子限制势的影响,不能简单的利用孤立量子点模型来代替.
metadata_83北京邮电大学理学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展计划,国家高技术研究发展计划,集成光电子学国家重点联合实验室开放课题资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2428950
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:10[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16615
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘玉敏,俞重远,杨红波,等. InAs/GaAs透镜形量子点超晶格材料的纵向和横向周期对应变场分布的影响[J]. 物理学报,2006,55(10):5023-5029.
APA 刘玉敏,俞重远,杨红波,&黄永箴.(2006).InAs/GaAs透镜形量子点超晶格材料的纵向和横向周期对应变场分布的影响.物理学报,55(10),5023-5029.
MLA 刘玉敏,et al."InAs/GaAs透镜形量子点超晶格材料的纵向和横向周期对应变场分布的影响".物理学报 55.10(2006):5023-5029.
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