长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备
	潘教青; 赵谦; 朱洪亮; 赵玲娟; 丁颖; 王宝军; 周帆; 王鲁峰; 王圩
	2006
Source Publication	物理学报
Volume	55 Issue:10 Pages:5216-5220
Abstract	采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术，得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱，加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA)，输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃，1.74μm激光器的特征温度T0=57K，和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
metadata_83	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金资助的课题
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2428980
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16613
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	潘教青,赵谦,朱洪亮,等. 长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备[J]. 物理学报,2006,55(10):5216-5220.
APA	潘教青.,赵谦.,朱洪亮.,赵玲娟.,丁颖.,...&王圩.(2006).长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备.物理学报,55(10),5216-5220.
MLA	潘教青,et al."长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备".物理学报 55.10(2006):5216-5220.

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