SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备
潘教青; 赵谦; 朱洪亮; 赵玲娟; 丁颖; 王宝军; 周帆; 王鲁峰; 王圩
2006
Source Publication物理学报
Volume55Issue:10Pages:5216-5220
Abstract采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
metadata_83中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2428980
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16613
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
潘教青,赵谦,朱洪亮,等. 长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备[J]. 物理学报,2006,55(10):5216-5220.
APA 潘教青.,赵谦.,朱洪亮.,赵玲娟.,丁颖.,...&王圩.(2006).长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备.物理学报,55(10),5216-5220.
MLA 潘教青,et al."长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备".物理学报 55.10(2006):5216-5220.
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