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长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备 | |
潘教青![]() ![]() ![]() | |
2006 | |
Source Publication | 物理学报
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Volume | 55Issue:10Pages:5216-5220 |
Abstract | 采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金资助的课题 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2428980 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16613 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 潘教青,赵谦,朱洪亮,等. 长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备[J]. 物理学报,2006,55(10):5216-5220. |
APA | 潘教青.,赵谦.,朱洪亮.,赵玲娟.,丁颖.,...&王圩.(2006).长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备.物理学报,55(10),5216-5220. |
MLA | 潘教青,et al."长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备".物理学报 55.10(2006):5216-5220. |
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