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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Total Dose Radiation-Hard 0. SOI CMOS Transistors and ASIC
作者: Xiao Zhiqiang;  Hong Genshen;  Zhang Bo;  Liu Zhongli
发表日期: 2006
摘要: This paper presents the total dose radiation performance of 0. S^m SOI CMOS devices fabricated with full dose SIMOX technology. The radiation performance is characterized by threshold voltage shifts and leakage currents of transistors and standby currents of ASIC as functions of the total dose up to 500krad(Si) .The experimental results show that the worst case threshold voltage shifts of front channels are less than 320mV for pMOS transistors under off-gate radiation bias at lMrad(Si) and less than 120mV for nMOS transistors under on-gate radiation bias. No significant radiation-induced leakage current is observed in transistors to lMrad(Si). The standby currents of ASIC are less than the specification of 5μA over the total dose range of 500krad(Si).
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Xiao Zhiqiang;Hong Genshen;Zhang Bo;Liu Zhongli.Total Dose Radiation-Hard 0. SOI CMOS Transistors and ASIC,半导体学报,2006,27(10):1750-1754
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