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ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响 | |
魏学成![]() | |
2006 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 27Issue:10Pages:1759-1762 |
Abstract | 利用X射线衍射技术、荧光光谱、霍尔效应和光学显微等方法分别研究了ZnO单晶的品格完整性、深能级缺陷、电学性质、位错和生长极性.通过比较ZnO单晶材料在退火前后的测试结果,分析了材料的缺陷属性和缺陷对材料性质、晶体完整性的影响. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2429675 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16605 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 魏学成,赵有文,董志远,等. ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响[J]. 半导体学报,2006,27(10):1759-1762. |
APA | 魏学成,赵有文,董志远,&李晋闽.(2006).ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响.半导体学报,27(10),1759-1762. |
MLA | 魏学成,et al."ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响".半导体学报 27.10(2006):1759-1762. |
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