ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响
	魏学成; 赵有文; 董志远; 李晋闽
	2006
Source Publication	半导体学报
Volume	27 Issue:10 Pages:1759-1762
Abstract	利用X射线衍射技术、荧光光谱、霍尔效应和光学显微等方法分别研究了ZnO单晶的品格完整性、深能级缺陷、电学性质、位错和生长极性．通过比较ZnO单晶材料在退火前后的测试结果，分析了材料的缺陷属性和缺陷对材料性质、晶体完整性的影响．
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2429675
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16605
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	魏学成,赵有文,董志远,等. ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响[J]. 半导体学报,2006,27(10):1759-1762.
APA	魏学成,赵有文,董志远,&李晋闽.(2006).ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响.半导体学报,27(10),1759-1762.
MLA	魏学成,et al."ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响".半导体学报 27.10(2006):1759-1762.

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