高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究
作者: 侯利娜;  姚淑德;  周生强;  赵强;  王坤;  丁志博;  王建峰
发表日期: 2006
摘要: 利用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在硅衬底上生长具有AIN插入层的GaN外延膜,采用高分辨X射线衍射(HRXRD)和卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术研究分析其结构和应变性质。从RBS<0001>沟道谱可知,该外延膜具有良好的结晶品质,χ_(min)=2.5%。利用不同方位角上XRD摇摆曲线测量,可得出GaN(0001)面与Si(111)面之间的夹角β=1.379°。通过对GaN(0002)和GaN(10(1-bar)5)衍射面的θ-2θ扫描,可以得出GaN外延膜在垂直方向和水平方向的平均弹性应变分别为-0.10%±0.02%和0.69%±0.09%。通过对{10(1-bar)0}面内非对称<1(2-bar)13>轴RBS角扫描可得出由弹性应变引起的四方畸变e_T在近表面处为0.35%±0.02%。外延膜弹性性质表明GaN膜在水平方向具有张应力(e~〃>0)、在垂直方向具有压应力(e~⊥<0),印证了XRD的结果。四方畸变是深度敏感的,通过对不同深度的四方畸变计算可知,A1N插入层下面的GaN外延膜弹性应变释放速度比A1N层上面的GaN层弹性应变释放快,说明A1N层的插入缓解了应变释放速度。
刊名: 原子能科学技术
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
4255.pdf273KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
侯利娜;姚淑德;周生强;赵强;王坤;丁志博;王建峰.带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究,原子能科学技术,2006,40(5):614-619
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [侯利娜]的文章
 [姚淑德]的文章
 [周生强]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [侯利娜]的文章
 [姚淑德]的文章
 [周生强]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发