SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究
侯利娜; 姚淑德; 周生强; 赵强; 王坤; 丁志博; 王建峰
2006
Source Publication原子能科学技术
Volume40Issue:5Pages:614-619
Abstract利用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在硅衬底上生长具有AIN插入层的GaN外延膜,采用高分辨X射线衍射(HRXRD)和卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术研究分析其结构和应变性质。从RBS<0001>沟道谱可知,该外延膜具有良好的结晶品质,χ_(min)=2.5%。利用不同方位角上XRD摇摆曲线测量,可得出GaN(0001)面与Si(111)面之间的夹角β=1.379°。通过对GaN(0002)和GaN(10(1-bar)5)衍射面的θ-2θ扫描,可以得出GaN外延膜在垂直方向和水平方向的平均弹性应变分别为-0.10%±0.02%和0.69%±0.09%。通过对{10(1-bar)0}面内非对称<1(2-bar)13>轴RBS角扫描可得出由弹性应变引起的四方畸变e_T在近表面处为0.35%±0.02%。外延膜弹性性质表明GaN膜在水平方向具有张应力(e~〃>0)、在垂直方向具有压应力(e~⊥<0),印证了XRD的结果。四方畸变是深度敏感的,通过对不同深度的四方畸变计算可知,A1N插入层下面的GaN外延膜弹性应变释放速度比A1N层上面的GaN层弹性应变释放快,说明A1N层的插入缓解了应变释放速度。
metadata_83北京大学物理学院技术物理系;Institut Voor Kern-en Stralingsfysica,Katholieke Universiteit Leuven,B-3001 Leuven;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目,中-比双边科技合作资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2430781
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16603
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
侯利娜,姚淑德,周生强,等. 带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究[J]. 原子能科学技术,2006,40(5):614-619.
APA 侯利娜.,姚淑德.,周生强.,赵强.,王坤.,...&王建峰.(2006).带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究.原子能科学技术,40(5),614-619.
MLA 侯利娜,et al."带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究".原子能科学技术 40.5(2006):614-619.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4255.pdf(273KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[侯利娜]'s Articles
[姚淑德]'s Articles
[周生强]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[侯利娜]'s Articles
[姚淑德]'s Articles
[周生强]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[侯利娜]'s Articles
[姚淑德]'s Articles
[周生强]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.