SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺
赵妙; 周代兵; 谭满清; 王晓东; 吴旭明
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:9Pages:1586-1589
Abstract用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO2蒸发速率比变化的规律,并讨论了这种淀积方法的优越性.
metadata_83中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
Subject Area半导体器件
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2433823
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16597
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
赵妙,周代兵,谭满清,等. 双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺[J]. 半导体学报,2006,27(9):1586-1589.
APA 赵妙,周代兵,谭满清,王晓东,&吴旭明.(2006).双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺.半导体学报,27(9),1586-1589.
MLA 赵妙,et al."双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺".半导体学报 27.9(2006):1586-1589.
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