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双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺 | |
赵妙; 周代兵![]() ![]() | |
2006 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 27Issue:9Pages:1586-1589 |
Abstract | 用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO2蒸发速率比变化的规律,并讨论了这种淀积方法的优越性. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心 |
Subject Area | 半导体器件 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2433823 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16597 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 赵妙,周代兵,谭满清,等. 双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺[J]. 半导体学报,2006,27(9):1586-1589. |
APA | 赵妙,周代兵,谭满清,王晓东,&吴旭明.(2006).双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺.半导体学报,27(9),1586-1589. |
MLA | 赵妙,et al."双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺".半导体学报 27.9(2006):1586-1589. |
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