双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺
	赵妙; 周代兵; 谭满清; 王晓东; 吴旭明
	2006
Source Publication	半导体学报
Volume	27 Issue:9 Pages:1586-1589
Abstract	用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO2蒸发速率比变化的规律,并讨论了这种淀积方法的优越性.
metadata_83	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
Subject Area	半导体器件
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2433823
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:3[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16597
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	赵妙,周代兵,谭满清,等. 双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺[J]. 半导体学报,2006,27(9):1586-1589.
APA	赵妙,周代兵,谭满清,王晓东,&吴旭明.(2006).双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺.半导体学报,27(9),1586-1589.
MLA	赵妙,et al."双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺".半导体学报 27.9(2006):1586-1589.

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