双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺
	赵妙; 周代兵; 谭满清; 王晓东; 吴旭明
	2006
Source Publication	半导体学报
Volume	27 Issue:9 Pages:1586-1589
Abstract	用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO2蒸发速率比变化的规律,并讨论了这种淀积方法的优越性.
metadata_83	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
Subject Area	半导体器件
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2433823
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16597
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	赵妙,周代兵,谭满清,等. 双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺[J]. 半导体学报,2006,27(9):1586-1589.
APA	赵妙,周代兵,谭满清,王晓东,&吴旭明.(2006).双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺.半导体学报,27(9),1586-1589.
MLA	赵妙,et al."双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺".半导体学报 27.9(2006):1586-1589.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库