SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器
曹玉莲; 廉鹏; 王青; 吴旭明; 何国荣; 曹青; 宋国峰; 陈良惠
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:9Pages:1621-1624
Abstract采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长. 在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(In carry-over effect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量. 器件的阈值电流从界面改善前的560mA 减小到改善后的450mA, 斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A, 特别是单面最大输出功率已经从370mW 增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA 上升为1820mA.
metadata_83中国科学院半导体研究所;北京工业大学
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2433831
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16595
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
曹玉莲,廉鹏,王青,等. 780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器[J]. 半导体学报,2006,27(9):1621-1624.
APA 曹玉莲.,廉鹏.,王青.,吴旭明.,何国荣.,...&陈良惠.(2006).780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器.半导体学报,27(9),1621-1624.
MLA 曹玉莲,et al."780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器".半导体学报 27.9(2006):1621-1624.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4251.pdf(441KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[曹玉莲]'s Articles
[廉鹏]'s Articles
[王青]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[曹玉莲]'s Articles
[廉鹏]'s Articles
[王青]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[曹玉莲]'s Articles
[廉鹏]'s Articles
[王青]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.