SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法
杜伟; 许兴胜; 韩伟华; 王春霞; 张杨; 杨富华; 陈弘达
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:9Pages:1640-1644
Abstract结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形.
metadata_83中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所,半导体集成技术工程研究中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2433835
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16591
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
杜伟,许兴胜,韩伟华,等. 高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法[J]. 半导体学报,2006,27(9):1640-1644.
APA 杜伟.,许兴胜.,韩伟华.,王春霞.,张杨.,...&陈弘达.(2006).高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法.半导体学报,27(9),1640-1644.
MLA 杜伟,et al."高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法".半导体学报 27.9(2006):1640-1644.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4249.pdf(1209KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[杜伟]'s Articles
[许兴胜]'s Articles
[韩伟华]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[杜伟]'s Articles
[许兴胜]'s Articles
[韩伟华]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[杜伟]'s Articles
[许兴胜]'s Articles
[韩伟华]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.