SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
掺铕GaN薄膜的Raman散射研究
张春光; 卞留芳; 陈维德
2006
Source Publication中国稀土学报
Volume24Issue:3Pages:279-283
Abstract采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和离子注入的方法制备了掺铕GaN薄膜。利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动,从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况。结果表明,Eu离子注入剂量越大,对晶格的损伤越严重;Eu离子注入的能量越高,对晶格的损伤也越严重;采用沟道注入方法可以有效地减小对晶体的损伤。离子注入后进行高温退火,可以使晶格中的Ga空位引起的缺陷得到有效的恢复。而N空位引起的缺陷随着退火温度的升高先减少后增多。不同几何配置的Raman谱研究表明,1000℃的高温退火导致了GaN的分解。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2446902
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16585
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张春光,卞留芳,陈维德. 掺铕GaN薄膜的Raman散射研究[J]. 中国稀土学报,2006,24(3):279-283.
APA 张春光,卞留芳,&陈维德.(2006).掺铕GaN薄膜的Raman散射研究.中国稀土学报,24(3),279-283.
MLA 张春光,et al."掺铕GaN薄膜的Raman散射研究".中国稀土学报 24.3(2006):279-283.
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