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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 高频大功率SiGe/SiHBT的设计
作者: 薛春来;  成步文;  姚飞;  王启明
发表日期: 2006
摘要: 详细地阐述了高频大功率SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)设计中的一些主要问题,主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等。并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议。
刊名: 半导体光电
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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薛春来;成步文;姚飞;王启明.高频大功率SiGe/SiHBT的设计,半导体光电,2006,27(3):271-277
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