SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高频大功率SiGe/SiHBT的设计
薛春来; 成步文; 姚飞; 王启明
2006
Source Publication半导体光电
Volume27Issue:3Pages:271-277
Abstract详细地阐述了高频大功率SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)设计中的一些主要问题,主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等。并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家“863”计划项目,国家“973”计划项目,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2448777
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16583
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
薛春来,成步文,姚飞,等. 高频大功率SiGe/SiHBT的设计[J]. 半导体光电,2006,27(3):271-277.
APA 薛春来,成步文,姚飞,&王启明.(2006).高频大功率SiGe/SiHBT的设计.半导体光电,27(3),271-277.
MLA 薛春来,et al."高频大功率SiGe/SiHBT的设计".半导体光电 27.3(2006):271-277.
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